casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53D1024M64D8NW-062 WT ES:D TR
Número de pieza del fabricante | MT53D1024M64D8NW-062 WT ES:D TR |
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Número de parte futuro | FT-MT53D1024M64D8NW-062 WT ES:D TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D1024M64D8NW-062 WT ES:D TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 64Gb (1G x 64) |
Frecuencia de reloj | 1600MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D1024M64D8NW-062 WT ES:D TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53D1024M64D8NW-062 WT ES:D TR-FT |
MT53B512M32D2NP-062 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4EZ-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4EZ-062 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4EZ-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4EZ-062 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4EZ-062 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4NJ-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4NJ-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
XC3S50A-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC3S1500-4FG676C
Xilinx Inc.
XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.
EPF10K200SFC672-3
Intel
EP4CGX150CF23I7
Intel
LFE2-12SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C5NES
Intel
10AX048E2F29I1SG
Intel
10AX016E3F27E1HG
Intel
EP20K60EFC324-2
Intel