casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53B512M64D4EZ-062 WT:B
Número de pieza del fabricante | MT53B512M64D4EZ-062 WT:B |
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Número de parte futuro | FT-MT53B512M64D4EZ-062 WT:B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B512M64D4EZ-062 WT:B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 32Gb (512M x 64) |
Frecuencia de reloj | 1600MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B512M64D4EZ-062 WT:B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53B512M64D4EZ-062 WT:B-FT |
MT53B2DDNP-DC
Micron Technology Inc.
MT53B2DDNP-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B2G32D8QD-062 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53B2G32D8QD-062 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B2G32D8QD-062 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53B2G32D8QD-062 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M16D1Z0APWC1
Micron Technology Inc.
MT53B384M16D1Z0AQWC1
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290NF45I4N
Intel
XC7VX690T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XC7S50-1CSGA324C
Xilinx Inc.
APA075-TQG100
Microsemi Corporation
A42MX24-3PLG84I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2X
Intel
5SGXMA3H2F35C2N
Intel