casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53D1024M64D8NW-053 WT:D
Número de pieza del fabricante | MT53D1024M64D8NW-053 WT:D |
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Número de parte futuro | FT-MT53D1024M64D8NW-053 WT:D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D1024M64D8NW-053 WT:D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 64Gb (1G x 64) |
Frecuencia de reloj | 1866MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D1024M64D8NW-053 WT:D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53D1024M64D8NW-053 WT:D-FT |
MT53B512M32D2NP-062 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2NP-062 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2NP-062 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2NP-062 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4EZ-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4EZ-062 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4EZ-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4EZ-062 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4EZ-062 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C
Micron Technology Inc.
XC2VP4-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC3S200-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F35I3N
Intel
5SGXEA7K2F35C2
Intel
EPF10K100EBC356-2
Intel
EPF10K100EQC240-1N
Intel