casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53D1024M32D4NQ-062 WT ES:D TR
Número de pieza del fabricante | MT53D1024M32D4NQ-062 WT ES:D TR |
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Número de parte futuro | FT-MT53D1024M32D4NQ-062 WT ES:D TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D1024M32D4NQ-062 WT ES:D TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 32Gb (1G x 32) |
Frecuencia de reloj | 1600MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D1024M32D4NQ-062 WT ES:D TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53D1024M32D4NQ-062 WT ES:D TR-FT |
MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2GZ-062 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2GZ-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2NP-062 AAT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2NP-062 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2NP-062 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2NP-062 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
XC4010XL-3TQ144C
Xilinx Inc.
M1AGLE3000V2-FGG484I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484C4N
Intel
5SGXEA9K3H40C4N
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
5CGTFD7C5U19I7N
Intel
5CGXBC7C7U19C8N
Intel
AT40K20-2AJC
Microchip Technology
5SGXEA3H2F35I2N
Intel