casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53B512M64D4NZ-062 WT:D
Número de pieza del fabricante | MT53B512M64D4NZ-062 WT:D |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT53B512M64D4NZ-062 WT:D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B512M64D4NZ-062 WT:D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 32Gb (512M x 64) |
Frecuencia de reloj | 1600MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B512M64D4NZ-062 WT:D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53B512M64D4NZ-062 WT:D-FT |
MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4EZ-062 WT:A TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4EZ-062 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4EZ-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NH-062 WT ES:A TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NH-062 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NH-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NH-062 WT:A TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NH-062 WT:B
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel