casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT53B512M64D4NW-062 WT ES:C
Número de pieza del fabricante | MT53B512M64D4NW-062 WT ES:C |
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Número de parte futuro | FT-MT53B512M64D4NW-062 WT ES:C |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B512M64D4NW-062 WT ES:C Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamaño de la memoria | 32Gb (512M x 64) |
Frecuencia de reloj | 1600MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.1V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B512M64D4NW-062 WT ES:C Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT53B512M64D4NW-062 WT ES:C-FT |
MT53B384M32D2DS-062 XT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2DS-062 XT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NP-053 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NP-053 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NP-062 XT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NP-062 XT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:A TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:B
Micron Technology Inc.
XC2V3000-5FGG676I
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AX125-1FG256I
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C7
Intel
EP3SL70F484I3N
Intel
EP2AGX45DF25C6
Intel
5SGXMB9R3H43C3N
Intel
XC5VSX240T-2FF1738CES
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation