casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT52L512M64D4PQ-107 WT:B
Número de pieza del fabricante | MT52L512M64D4PQ-107 WT:B |
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Número de parte futuro | FT-MT52L512M64D4PQ-107 WT:B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT52L512M64D4PQ-107 WT:B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Tamaño de la memoria | 32Gb (512M x 64) |
Frecuencia de reloj | 933MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.2V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT52L512M64D4PQ-107 WT:B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT52L512M64D4PQ-107 WT:B-FT |
MT40A512M16LY-075:E
Micron Technology Inc.
MT40A512M16LY-075:E TR
Micron Technology Inc.
MT40A512M16Z01AWC1
Micron Technology Inc.
MT40A512M8RH-075E AAT:B
Micron Technology Inc.
MT40A512M8RH-075E AAT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A512M8RH-083E AAT:B
Micron Technology Inc.
MT40A512M8RH-083E AAT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A512M8RH-083E AIT:B
Micron Technology Inc.
MT40A512M8RH-083E AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT41J128M16JT-107G:K
Micron Technology Inc.
XC7K325T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-2VQ100
Microsemi Corporation
EP3C55U484C8
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC5VLX50T-1FFG665I
Xilinx Inc.
EPF10K30EQC208-2
Intel