casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT52L512M64D4GN-107 WT ES:B TR
Número de pieza del fabricante | MT52L512M64D4GN-107 WT ES:B TR |
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Número de parte futuro | FT-MT52L512M64D4GN-107 WT ES:B TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT52L512M64D4GN-107 WT ES:B TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Tamaño de la memoria | 32Gb (512M x 64) |
Frecuencia de reloj | 933MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.2V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT52L512M64D4GN-107 WT ES:B TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT52L512M64D4GN-107 WT ES:B TR-FT |
MT49H32M18BM-18:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18BM-18:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18BM-25:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18BM-25:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18BM-25E:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18BM-25E:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18BM-33:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18BM-33:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18CBM-18:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18CBM-18:B TR
Micron Technology Inc.
XA6SLX25-2FTG256I
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
EP1S20F484I6N
Intel
5SEE9F45C2LN
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF29I3
Intel
5SGSMD4H3F35I4N
Intel
EPF6016AFC100-1
Intel