casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT49H32M18SJ-25E:B
Número de pieza del fabricante | MT49H32M18SJ-25E:B |
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Número de parte futuro | FT-MT49H32M18SJ-25E:B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT49H32M18SJ-25E:B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | DRAM |
Tamaño de la memoria | 576Mb (32M x 18) |
Frecuencia de reloj | 400MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 15ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 144-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 144-FBGA (18.5x11) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT49H32M18SJ-25E:B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT49H32M18SJ-25E:B-FT |
MT47H32M8BP-37V:B
Micron Technology Inc.
MT47H32M8BP-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M8BP-5E:B
Micron Technology Inc.
MT47H32M8BP-5E:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H512M4THN-37E:E TR
Micron Technology Inc.
MT47H512M4THN-3:E TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M4BP-37E:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M4BP-37E:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-25:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-25E IT:D TR
Micron Technology Inc.
XC7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M16SCE144C8G
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel
5AGXFA5H4F35I3
Intel
EP2AGX260FF35I3N
Intel
EP4SGX70HF35C3
Intel