casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT47H32M8BP-37V:B
Número de pieza del fabricante | MT47H32M8BP-37V:B |
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Número de parte futuro | FT-MT47H32M8BP-37V:B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT47H32M8BP-37V:B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR2 |
Tamaño de la memoria | 256Mb (32M x 8) |
Frecuencia de reloj | 267MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 500ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 60-FBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 60-FBGA (8x12) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H32M8BP-37V:B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT47H32M8BP-37V:B-FT |
MT46V16M16FG-6:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V16M16FG-75:F
Micron Technology Inc.
MT46V16M16FG-75:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-5B:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-5B:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-5B:F
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-6 IT:F
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-6 IT:F TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-6:C
Micron Technology Inc.
MT46V32M16BN-6:C TR
Micron Technology Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel