casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT49H16M36SJ-25 IT:B

| Número de pieza del fabricante | MT49H16M36SJ-25 IT:B |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-MT49H16M36SJ-25 IT:B |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| MT49H16M36SJ-25 IT:B Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de memoria | Volatile |
| Formato de memoria | DRAM |
| Tecnología | DRAM |
| Tamaño de la memoria | 576Mb (16M x 36) |
| Frecuencia de reloj | 400MHz |
| Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
| Tiempo de acceso | 20ns |
| interfaz de memoria | Parallel |
| Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caja | 144-TFBGA |
| Paquete del dispositivo del proveedor | 144-FBGA (18.5x11) |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT49H16M36SJ-25 IT:B Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | MT49H16M36SJ-25 IT:B-FT |

MT47H64M8B6-37E:D TR
Micron Technology Inc.

MT47H64M8B6-3:D TR
Micron Technology Inc.

MT47H64M8B6-5E IT:D TR
Micron Technology Inc.

MT47H64M8B6-5E:D TR
Micron Technology Inc.

MT47H64M8CB-25:B
Micron Technology Inc.

MT47H64M8CB-25:B TR
Micron Technology Inc.

MT47H64M8CB-37E IT:B
Micron Technology Inc.

MT47H64M8CB-37E IT:B TR
Micron Technology Inc.

MT47H64M8CB-37E:B
Micron Technology Inc.

MT47H64M8CB-37E:B TR
Micron Technology Inc.

XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.

M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation

LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation

XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.

AX500-FGG676
Microsemi Corporation

LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation

5CEBA9F31C8N
Intel

EP20K1000EBI652-2X
Intel