casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT49H16M36SJ-25 IT:B
Número de pieza del fabricante | MT49H16M36SJ-25 IT:B |
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Número de parte futuro | FT-MT49H16M36SJ-25 IT:B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT49H16M36SJ-25 IT:B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | DRAM |
Tamaño de la memoria | 576Mb (16M x 36) |
Frecuencia de reloj | 400MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 144-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 144-FBGA (18.5x11) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT49H16M36SJ-25 IT:B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT49H16M36SJ-25 IT:B-FT |
MT47H64M8B6-37E:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-3:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-5E IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-5E:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-25:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-25:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37E IT:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37E IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37E:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37E:B TR
Micron Technology Inc.