casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT49H16M36SJ-25E:B
Número de pieza del fabricante | MT49H16M36SJ-25E:B |
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Número de parte futuro | FT-MT49H16M36SJ-25E:B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT49H16M36SJ-25E:B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | DRAM |
Tamaño de la memoria | 576Mb (16M x 36) |
Frecuencia de reloj | 400MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 15ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 144-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 144-FBGA (18.5x11) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT49H16M36SJ-25E:B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT49H16M36SJ-25E:B-FT |
MT47H128M8HQ-187E:E TR
Micron Technology Inc.
MT47H128M8HQ-3:E TR
Micron Technology Inc.
MT47H256M4HQ-187E:E TR
Micron Technology Inc.
MT47H256M4HQ-3:E TR
Micron Technology Inc.
MT47H256M4HQ-5E:E TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M8BP-37E:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M8BP-37V:B
Micron Technology Inc.
MT47H32M8BP-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M8BP-5E:B
Micron Technology Inc.
MT47H32M8BP-5E:B TR
Micron Technology Inc.
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel