casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT49H16M36SJ-18:B TR
Número de pieza del fabricante | MT49H16M36SJ-18:B TR |
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Número de parte futuro | FT-MT49H16M36SJ-18:B TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT49H16M36SJ-18:B TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | DRAM |
Tamaño de la memoria | 576Mb (16M x 36) |
Frecuencia de reloj | 533MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 15ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 144-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 144-FBGA (18.5x11) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT49H16M36SJ-18:B TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT49H16M36SJ-18:B TR-FT |
MT47H128M4CB-5E:B
Micron Technology Inc.
MT47H128M4CB-5E:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H128M8HQ-187E:E TR
Micron Technology Inc.
MT47H128M8HQ-3:E TR
Micron Technology Inc.
MT47H256M4HQ-187E:E TR
Micron Technology Inc.
MT47H256M4HQ-3:E TR
Micron Technology Inc.
MT47H256M4HQ-5E:E TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M8BP-37E:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M8BP-37V:B
Micron Technology Inc.
MT47H32M8BP-3:B TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel