casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT46V256M4TG-6T:A
Número de pieza del fabricante | MT46V256M4TG-6T:A |
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Número de parte futuro | FT-MT46V256M4TG-6T:A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT46V256M4TG-6T:A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR |
Tamaño de la memoria | 1Gb (256M x 4) |
Frecuencia de reloj | 167MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 700ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.3V ~ 2.7V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 66-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT46V256M4TG-6T:A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT46V256M4TG-6T:A-FT |
MT47H32M16BN-25:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16BN-25E IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16BN-25E:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16BN-3 IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16BN-37E IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16BN-37E:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16BN-3:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16BN-5E IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16BN-5E:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16CC-37E IT:B
Micron Technology Inc.
XC2S30-5VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C9L
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation