casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT47H32M16BN-5E:D TR
Número de pieza del fabricante | MT47H32M16BN-5E:D TR |
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Número de parte futuro | FT-MT47H32M16BN-5E:D TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT47H32M16BN-5E:D TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR2 |
Tamaño de la memoria | 512Mb (32M x 16) |
Frecuencia de reloj | 200MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 600ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 84-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 84-FBGA (10x12.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H32M16BN-5E:D TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT47H32M16BN-5E:D TR-FT |
MT29F64G08CBAABWP-12Z:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBABAWP:B
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBABAWP:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBABBWP-12:B
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CFACAWP-Z:C
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CFACAWP-Z:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CFACAWP:C
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CFACAWP:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CFACBWP-12:C
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CFACBWP-12Z:C
Micron Technology Inc.
XC2VP4-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC3S200-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F35I3N
Intel
5SGXEA7K2F35C2
Intel
EPF10K100EBC356-2
Intel
EPF10K100EQC240-1N
Intel