casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT46H16M32LFB5-6 AT:C
Número de pieza del fabricante | MT46H16M32LFB5-6 AT:C |
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Número de parte futuro | FT-MT46H16M32LFB5-6 AT:C |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT46H16M32LFB5-6 AT:C Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR |
Tamaño de la memoria | 512Mb (16M x 32) |
Frecuencia de reloj | 166MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 5.0ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 90-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 90-VFBGA (8x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT46H16M32LFB5-6 AT:C Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT46H16M32LFB5-6 AT:C-FT |
MT29F64G08CBABBWP-12IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBABBWPR:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBJ4-5M:G
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBJ4-5M:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBL04A3WC1-M
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBL04A3WC1-R
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEBBL84A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEDBJ4-12M:D TR
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel