casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F64G08CBEDBJ4-12M:D TR
Número de pieza del fabricante | MT29F64G08CBEDBJ4-12M:D TR |
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Número de parte futuro | FT-MT29F64G08CBEDBJ4-12M:D TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F64G08CBEDBJ4-12M:D TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 64Gb (8G x 8) |
Frecuencia de reloj | 83MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F64G08CBEDBJ4-12M:D TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F64G08CBEDBJ4-12M:D TR-FT |
MT29F2G01ABAGD12-AAT:G
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABAGD12-AAT:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABAGD12-IT:G
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABAGD12-IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABAGDM79A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABAGDSF-AAT:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABAGDWB-IT:G
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAH4-AITX:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAGAH4-IT:G
Micron Technology Inc.
XC3S50A-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC3S1500-4FG676C
Xilinx Inc.
XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.
EPF10K200SFC672-3
Intel
EP4CGX150CF23I7
Intel
LFE2-12SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C5NES
Intel
10AX048E2F29I1SG
Intel
10AX016E3F27E1HG
Intel
EP20K60EFC324-2
Intel