casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C TR
Número de pieza del fabricante | MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C TR |
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Número de parte futuro | FT-MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH, RAM |
Tecnología | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
Tamaño de la memoria | 4Gb (128M x 32)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) |
Frecuencia de reloj | 533MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.8V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 162-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 162-VFBGA (10.5x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C TR-FT |
MT52L256M32D1PF-093 WT:B
Micron Technology Inc.
MT52L256M32D1PF-093 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M32D1PF-107 WT:B
Micron Technology Inc.
MT52L256M32D1PF-107 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M32D1PF-093 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M32D1PF-107 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L512M32D2PF-093 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
EDB4432BBPA-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDB4432BBPA-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB8132B4PB-8D-F-D
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel