casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F
Número de pieza del fabricante | MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F |
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Número de parte futuro | FT-MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH, RAM |
Tecnología | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
Tamaño de la memoria | 4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) |
Frecuencia de reloj | 533MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.8V |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F-FT |
MT29F64G08CBCGBWP-B:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBWP-BES:G
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBWP-BES:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEDBJ4-12:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEDBJ4-12IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEDBL84C3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEDBL84C3WC1-M
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEDBL84C3WC1-R
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEFBL94C3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEFBL94C3WC1-M
Micron Technology Inc.
LCMXO2280C-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25DF672I6
Intel
10M25DAF484C8G
Intel
XC7VX690T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
A42MX16-FPLG84
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7N
Intel
EP3SL110F780I4
Intel
10AX027E1F29I1HG
Intel