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Micron Technology Inc. MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR

Name: MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR
Brand: Micron Technology Inc.
SKU: MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR
Availability: InStock
Rating: 4.9 (451 reviews)

Número de pieza de MFG: MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR

Cantidad disponible: 37580 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Micron Technology Inc.

Breve descripción: - IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Memoria

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR.pdf

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MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR Presupuesto

Número de pieza del fabricante	MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR
Número de parte futuro	FT-MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de memoria	Non-Volatile
Formato de memoria	FLASH, RAM
Tecnología	FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
Tamaño de la memoria	4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)
Frecuencia de reloj	533MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página	-
Tiempo de acceso	-
interfaz de memoria	Parallel
Suministro de voltaje	1.8V
Temperatura de funcionamiento	-25°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje	-
Paquete / Caja	-
Paquete del dispositivo del proveedor	-
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR-FT

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