casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR
Número de pieza del fabricante | MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR |
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Número de parte futuro | FT-MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH, RAM |
Tecnología | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
Tamaño de la memoria | 2Gb (256M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) |
Frecuencia de reloj | 533MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.8V |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 162-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 162-VFBGA (10.5x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR-FT |
EDB8132B4PM-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDB8132B4PM-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.
M58BW16FB5ZA3F
Micron Technology Inc.
M58BW16FB5ZA3F TR
Micron Technology Inc.
M58LT128HSB8ZA6E
Micron Technology Inc.
M58LT128HSB8ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M58LT128HST8ZA6E
Micron Technology Inc.
M58LT128HST8ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M58LT256JSB8ZA6E
Micron Technology Inc.
M58LT256JSB8ZA6F TR
Micron Technology Inc.
XC2S30-5VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C9L
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation