casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR
Número de pieza del fabricante | MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR |
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Número de parte futuro | FT-MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH, RAM |
Tecnología | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
Tamaño de la memoria | 2Gb (256M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) |
Frecuencia de reloj | 533MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.8V |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 162-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 162-VFBGA (10.5x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR-FT |
EDB8132B4PM-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDB8132B4PM-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.
M58BW16FB5ZA3F
Micron Technology Inc.
M58BW16FB5ZA3F TR
Micron Technology Inc.
M58LT128HSB8ZA6E
Micron Technology Inc.
M58LT128HSB8ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M58LT128HST8ZA6E
Micron Technology Inc.
M58LT128HST8ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M58LT256JSB8ZA6E
Micron Technology Inc.
M58LT256JSB8ZA6F TR
Micron Technology Inc.