casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29RZ1BVCZZHGTN-25 W.4M0 TR
Número de pieza del fabricante | MT29RZ1BVCZZHGTN-25 W.4M0 TR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT29RZ1BVCZZHGTN-25 W.4M0 TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
MT29RZ1BVCZZHGTN-25 W.4M0 TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | - |
Formato de memoria | - |
Tecnología | - |
Tamaño de la memoria | - |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29RZ1BVCZZHGTN-25 W.4M0 TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29RZ1BVCZZHGTN-25 W.4M0 TR-FT |
MT29F64G08CBCDBJ4-6R:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBJ4-37ES:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBSX-37B:G
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBSX-37B:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBWP-B:G
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBWP-B:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBWP-BES:G
Micron Technology Inc.
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel