casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F64G08CBCDBJ4-6R:D TR
Número de pieza del fabricante | MT29F64G08CBCDBJ4-6R:D TR |
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Número de parte futuro | FT-MT29F64G08CBCDBJ4-6R:D TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F64G08CBCDBJ4-6R:D TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 64Gb (8G x 8) |
Frecuencia de reloj | 167MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F64G08CBCDBJ4-6R:D TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F64G08CBCDBJ4-6R:D TR-FT |
MT29F512G08CKEABH7-12IT:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CKECBH7-12:C
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CKECBH7-12:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CLCCBG1-6R:C
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CMCABH7-6:A
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CMCABH7-6:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CMCABH7-6C:A
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CMCABH7-6R:A
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CMCABK7-6:A
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CMCABK7-6:A TR
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290NF45I4N
Intel
XC7VX690T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XC7S50-1CSGA324C
Xilinx Inc.
APA075-TQG100
Microsemi Corporation
A42MX24-3PLG84I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2X
Intel
5SGXMA3H2F35C2N
Intel