casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F512G08CMCABH7-6R:A
Número de pieza del fabricante | MT29F512G08CMCABH7-6R:A |
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Número de parte futuro | FT-MT29F512G08CMCABH7-6R:A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F512G08CMCABH7-6R:A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 512Gb (64G x 8) |
Frecuencia de reloj | 166MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 152-TBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 152-TBGA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F512G08CMCABH7-6R:A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F512G08CMCABH7-6R:A-FT |
MT29F4G08ABADAM60A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAWP-AT:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAWP-AT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAWP-E:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAWP-E:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAWP:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAH4-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAH4-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAH4-S:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAH4-S:E TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FI484-2
Intel
XC7VX485T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC2VP20-6FFG896C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-N3CSG225I
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FTQG100
Microsemi Corporation
EP1C4F324C8N
Intel
EP4SGX360HF35C2
Intel
EP2A40F1020C8ES
Intel