casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F64G08CBCBBH1-10:B

| Número de pieza del fabricante | MT29F64G08CBCBBH1-10:B |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-MT29F64G08CBCBBH1-10:B |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| MT29F64G08CBCBBH1-10:B Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de memoria | Non-Volatile |
| Formato de memoria | FLASH |
| Tecnología | FLASH - NAND |
| Tamaño de la memoria | 64Gb (8G x 8) |
| Frecuencia de reloj | 100MHz |
| Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
| Tiempo de acceso | - |
| interfaz de memoria | Parallel |
| Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo de montaje | - |
| Paquete / Caja | - |
| Paquete del dispositivo del proveedor | - |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT29F64G08CBCBBH1-10:B Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | MT29F64G08CBCBBH1-10:B-FT |

MT29F512G08CKCBBH7-6C:B
Micron Technology Inc.

MT29F512G08CKCBBH7-6ITC:B
Micron Technology Inc.

MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR
Micron Technology Inc.

MT29F512G08CKCCBH7-6R:C
Micron Technology Inc.

MT29F512G08CKCCBH7-6R:C TR
Micron Technology Inc.

MT29F512G08CKEABH7-12IT:A TR
Micron Technology Inc.

MT29F512G08CKECBH7-12:C
Micron Technology Inc.

MT29F512G08CKECBH7-12:C TR
Micron Technology Inc.

MT29F512G08CLCCBG1-6R:C
Micron Technology Inc.

MT29F512G08CMCABH7-6:A
Micron Technology Inc.

XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.

XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.

M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation

A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation

A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation

M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation

EP4CE10F17A7N
Intel

EPF10K30EFC256-3
Intel

LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation

EP20K100EFC324-1
Intel