casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F512G08CKCCBH7-6R:C TR

| Número de pieza del fabricante | MT29F512G08CKCCBH7-6R:C TR |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-MT29F512G08CKCCBH7-6R:C TR |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| MT29F512G08CKCCBH7-6R:C TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de memoria | Non-Volatile |
| Formato de memoria | FLASH |
| Tecnología | FLASH - NAND |
| Tamaño de la memoria | 512Gb (64G x 8) |
| Frecuencia de reloj | 166MHz |
| Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
| Tiempo de acceso | - |
| interfaz de memoria | Parallel |
| Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo de montaje | - |
| Paquete / Caja | - |
| Paquete del dispositivo del proveedor | - |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT29F512G08CKCCBH7-6R:C TR Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | MT29F512G08CKCCBH7-6R:C TR-FT |

MT29F4G01ABBFDWB-ITES:F TR
Micron Technology Inc.

MT29F4G01ADAGDSF-IT:G
Micron Technology Inc.

MT29F4G01ADAGDSF-IT:G TR
Micron Technology Inc.

MT29F4G08ABADAH4-AT:D
Micron Technology Inc.

MT29F4G08ABADAH4-AT:D TR
Micron Technology Inc.

MT29F4G08ABADAH4-E:D
Micron Technology Inc.

MT29F4G08ABADAH4-ITE:D
Micron Technology Inc.

MT29F4G08ABADAH4-ITE:D TR
Micron Technology Inc.

MT29F4G08ABADAM60A3WC1
Micron Technology Inc.

MT29F4G08ABADAWP-AT:D
Micron Technology Inc.

LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation

EP1K100FI484-2
Intel

XC7VX485T-1FF1157I
Xilinx Inc.

XC2VP20-6FFG896C
Xilinx Inc.

XC6SLX16-N3CSG225I
Xilinx Inc.

AGLP060V2-CS289I
Microsemi Corporation

A54SX16A-FTQG100
Microsemi Corporation

EP1C4F324C8N
Intel

EP4SGX360HF35C2
Intel

EP2A40F1020C8ES
Intel