casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F64G08CBABBWPR:B
Número de pieza del fabricante | MT29F64G08CBABBWPR:B |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT29F64G08CBABBWPR:B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F64G08CBABBWPR:B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 64Gb (8G x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F64G08CBABBWPR:B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F64G08CBABBWPR:B-FT |
MT29F512G08CKCABK7-6:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CKCBBH7-6C:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CKCBBH7-6ITC:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CKCCBH7-6R:C
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CKCCBH7-6R:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CKEABH7-12IT:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CKECBH7-12:C
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CKECBH7-12:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CLCCBG1-6R:C
Micron Technology Inc.
LCMXO2280E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-5QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7K3F40C2L
Intel
10M08SAU169I7G
Intel
XC2VP50-5FF1152I
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K160EBC356-1
Intel