casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F64G08AKCBBH2-12:B
Número de pieza del fabricante | MT29F64G08AKCBBH2-12:B |
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Número de parte futuro | FT-MT29F64G08AKCBBH2-12:B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F64G08AKCBBH2-12:B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 64Gb (8G x 8) |
Frecuencia de reloj | 83MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 100-TBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 100-TBGA (12x18) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F64G08AKCBBH2-12:B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F64G08AKCBBH2-12:B-FT |
MT29F512G08AUEBBH8-12:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08AUEBBH8-12:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08AUEBBK8-12:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CECBBJ4-37:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CECBBJ4-37:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CECBBJ4-5M:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CEHBBJ4-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CFCBBWP-10:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR
Micron Technology Inc.
XC7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M16SCE144C8G
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel
5AGXFA5H4F35I3
Intel
EP2AGX260FF35I3N
Intel
EP4SGX70HF35C3
Intel