casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F512G08CECBBJ4-37:B TR
Número de pieza del fabricante | MT29F512G08CECBBJ4-37:B TR |
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Número de parte futuro | FT-MT29F512G08CECBBJ4-37:B TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F512G08CECBBJ4-37:B TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 512Gb (64G x 8) |
Frecuencia de reloj | 267MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F512G08CECBBJ4-37:B TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F512G08CECBBJ4-37:B TR-FT |
MT29F3T08EUCBBM4-37ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B
Micron Technology Inc.
MT29F3T08EUHBBM4-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G01AAADDHC-IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ABAFD12-AATES:F
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ABAFD12-AATES:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ABAFD12-ITES:F
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ABAFD12-ITES:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ABAFDWB-IT:F
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ABAFDWB-ITES:F
Micron Technology Inc.
EPF10K30ATI144-3N
Intel
A54SX32A-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED6N3F45I4N
Intel
5SGSMD5H2F35I3L
Intel
A40MX04-FPL84
Microsemi Corporation
LFXP6C-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL150F780I3N
Intel