casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F64G08AECABJ1-10Z:A
Número de pieza del fabricante | MT29F64G08AECABJ1-10Z:A |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT29F64G08AECABJ1-10Z:A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F64G08AECABJ1-10Z:A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 64Gb (8G x 8) |
Frecuencia de reloj | 100MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 132-VBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 132-VBGA (12x18) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F64G08AECABJ1-10Z:A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F64G08AECABJ1-10Z:A-FT |
MT29F4G16ABBFAM70A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F4T08CTHBBM5-3C:B
Micron Technology Inc.
MT29F4T08CTHBBM5-3C:BTR
Micron Technology Inc.
MT29F4T08CTHBBM5-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F4T08EYCBBG9-37:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F4T08EYCBBG9-37ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F4T08EYHBBG9-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F4T08EYHBBG9-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08AUCBBH8-6:B TR
Micron Technology Inc.
XC2S50-5TQG144C
Xilinx Inc.
XC7S75-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
XCS05-3VQ100I
Xilinx Inc.
XC4013XL-3PQ208I
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256
Microsemi Corporation
10CL080ZF484I8G
Intel
5SGXMA4H3F35C2N
Intel
ICE40LP1K-CB81
Lattice Semiconductor Corporation
AT6005-4JC
Microchip Technology
5SGSMD3H2F35I3LN
Intel