casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F64G08ABEBBH6-12:B
Número de pieza del fabricante | MT29F64G08ABEBBH6-12:B |
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Número de parte futuro | FT-MT29F64G08ABEBBH6-12:B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F64G08ABEBBH6-12:B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 64Gb (8G x 8) |
Frecuencia de reloj | 83MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F64G08ABEBBH6-12:B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F64G08ABEBBH6-12:B-FT |
MT29F4G16ABBDAM60A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBEAH4-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBEAH4-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBEAH4:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBEAH4:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBFAH4-AATES:F
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBFAH4-AATES:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBFAM70A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F4T08CTHBBM5-3C:B
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel