casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F512G08CKCABH7-6R:A
Número de pieza del fabricante | MT29F512G08CKCABH7-6R:A |
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Número de parte futuro | FT-MT29F512G08CKCABH7-6R:A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F512G08CKCABH7-6R:A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 512Gb (64G x 8) |
Frecuencia de reloj | 166MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F512G08CKCABH7-6R:A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F512G08CKCABH7-6R:A-FT |
MT29F4G01ABAFDWB-ITES:F
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ABAFDWB-ITES:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ABBFD12-AATES:F
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ABBFD12-ITES:F
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ABBFD12-ITES:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ABBFDWB-ITES:F
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ABBFDWB-ITES:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ADAGDSF-IT:G
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ADAGDSF-IT:G TR
Micron Technology Inc.
XC7A50T-2FG484I
Xilinx Inc.
XC4028XL-2BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQG176M
Microsemi Corporation
M1A3P400-FGG144
Microsemi Corporation
LFEC6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C7
Intel
EP4CE55F29I8L
Intel
EP20K600CB652C8
Intel