casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F4G01ABBFD12-AATES:F
Número de pieza del fabricante | MT29F4G01ABBFD12-AATES:F |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT29F4G01ABBFD12-AATES:F |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F4G01ABBFD12-AATES:F Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 4Gb (4G x 1) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F4G01ABBFD12-AATES:F Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F4G01ABBFD12-AATES:F-FT |
MT29F2G08ABAFAH4-IT:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAFAH4-ITS:F
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAFAH4-ITS:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAFAH4-S:F
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAFAH4-S:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBEAH4:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBEAHC-AIT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBEAM69A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBFAH4-IT:F
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBFAH4-IT:F TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2280E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-5QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7K3F40C2L
Intel
10M08SAU169I7G
Intel
XC2VP50-5FF1152I
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K160EBC356-1
Intel