casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F2G08ABBEAHC-AIT:E TR
Número de pieza del fabricante | MT29F2G08ABBEAHC-AIT:E TR |
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Número de parte futuro | FT-MT29F2G08ABBEAHC-AIT:E TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F2G08ABBEAHC-AIT:E TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2G08ABBEAHC-AIT:E TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F2G08ABBEAHC-AIT:E TR-FT |
MT29F256G08CECBBH6-6R:B
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CECBBH6-6R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CECCBH6-6C:C
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CECCBH6-6ITR:C
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CECCBH6-6ITR:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CECCBH6-6R:C
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CECCBH6-6R:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CECEBJ4-37ITRES:E
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CECEBJ4-37ITRES:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CEEABH6-12:A TR
Micron Technology Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel