casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F256G08CECCBH6-6R:C
Número de pieza del fabricante | MT29F256G08CECCBH6-6R:C |
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Número de parte futuro | FT-MT29F256G08CECCBH6-6R:C |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F256G08CECCBH6-6R:C Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 256Gb (32G x 8) |
Frecuencia de reloj | 167MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F256G08CECCBH6-6R:C Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F256G08CECCBH6-6R:C-FT |
MT29F1HT08ELHBBG1-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1HT08EMCBBJ4-37:B
Micron Technology Inc.
MT29F1HT08EMCBBJ4-37:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1HT08EMCBBJ4-37ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1HT08EMHBBJ4-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CLHBBG1-3R:B
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CLHBBG1-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CLHBBG1-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CMCBBJ4-37:B
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CMCBBJ4-37:B TR
Micron Technology Inc.
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel