casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F256G08CECCBH6-6R:C
Número de pieza del fabricante | MT29F256G08CECCBH6-6R:C |
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Número de parte futuro | FT-MT29F256G08CECCBH6-6R:C |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F256G08CECCBH6-6R:C Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 256Gb (32G x 8) |
Frecuencia de reloj | 167MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F256G08CECCBH6-6R:C Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F256G08CECCBH6-6R:C-FT |
MT29F1HT08ELHBBG1-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1HT08EMCBBJ4-37:B
Micron Technology Inc.
MT29F1HT08EMCBBJ4-37:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1HT08EMCBBJ4-37ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1HT08EMHBBJ4-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CLHBBG1-3R:B
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CLHBBG1-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CLHBBG1-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CMCBBJ4-37:B
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CMCBBJ4-37:B TR
Micron Technology Inc.
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel