casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F1HT08EMCBBJ4-37ES:B TR
Número de pieza del fabricante | MT29F1HT08EMCBBJ4-37ES:B TR |
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Número de parte futuro | FT-MT29F1HT08EMCBBJ4-37ES:B TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F1HT08EMCBBJ4-37ES:B TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 1.5Tb (192G x 8) |
Frecuencia de reloj | 267MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1HT08EMCBBJ4-37ES:B TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F1HT08EMCBBJ4-37ES:B TR-FT |
MT29F128G08EBEBBB95A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBEBBB95A3WC1-M
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBEBBWP:B
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBEBBWP:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBEBBWPES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBHDBB05A3WC1ES
Micron Technology Inc.
MT29F16G08ABABAM62B3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F16G08ABABAWP:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F16G08ABACAM72A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F16G08ABACAWP-IT:C TR
Micron Technology Inc.
LFXP3C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-5FG320C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
ICE40UL640-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N1F45C2LN
Intel
A1010B-2PLG44C
Microsemi Corporation
LFX200B-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
5SGXEA3H3F35C2LN
Intel