casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F
Número de pieza del fabricante | MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F |
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Número de parte futuro | FT-MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 4Gb (256M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F-FT |
MT29F32G08AECBBH1-12IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AECCBH1-10:C
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AECCBH1-10:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AECCBH1-10ITZ:C
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AECCBH1-10ITZ:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AECCBH1-10Z:C
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AECCBH1-10Z:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AFABAWP:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AFACAWP-IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08AFACAWP-ITZ:C
Micron Technology Inc.
XC3S50A-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC3S1500-4FG676C
Xilinx Inc.
XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.
EPF10K200SFC672-3
Intel
EP4CGX150CF23I7
Intel
LFE2-12SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C5NES
Intel
10AX048E2F29I1SG
Intel
10AX016E3F27E1HG
Intel
EP20K60EFC324-2
Intel