casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F32G08AECCBH1-10Z:C
Número de pieza del fabricante | MT29F32G08AECCBH1-10Z:C |
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Número de parte futuro | FT-MT29F32G08AECCBH1-10Z:C |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F32G08AECCBH1-10Z:C Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 32Gb (4G x 8) |
Frecuencia de reloj | 100MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 100-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 100-VBGA (12x18) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F32G08AECCBH1-10Z:C Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F32G08AECCBH1-10Z:C-FT |
MT29F256G08EBHAFB16A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EBHAFB16A3WC1-M
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EBHAFB16A3WC1-R
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EBHAFB16A3WC1ES
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EBHAFB16A3WEA
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EBHAFB16A3WSA
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EBHAFB16A3WTA
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EECBBJ4-10ES:B TR
Micron Technology Inc.
XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel