casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F32G08AECBBH1-12:B
Número de pieza del fabricante | MT29F32G08AECBBH1-12:B |
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Número de parte futuro | FT-MT29F32G08AECBBH1-12:B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F32G08AECBBH1-12:B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 32Gb (4G x 8) |
Frecuencia de reloj | 83MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 100-VBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 100-VBGA (12x18) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F32G08AECBBH1-12:B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F32G08AECBBH1-12:B-FT |
MT29F256G08CMCGBJ4-37ES:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMCGBJ4-37R:G
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMCGBJ4-37R:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMEDBJ5-12:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMEDBJ5-12IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMHGBJ4-3R:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMHGBJ4-3RES:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EBCAGB16A3WC1-M
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EBHAFB16A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EBHAFB16A3WC1-M
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel