casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F256G08CMHGBJ4-3RES:G TR
Número de pieza del fabricante | MT29F256G08CMHGBJ4-3RES:G TR |
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Número de parte futuro | FT-MT29F256G08CMHGBJ4-3RES:G TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F256G08CMHGBJ4-3RES:G TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 256Gb (32G x 8) |
Frecuencia de reloj | 333MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F256G08CMHGBJ4-3RES:G TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F256G08CMHGBJ4-3RES:G TR-FT |
MT29F1T208EGHBBG1-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T208EGHBBG1-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AKCBBH7-6:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AKCBBH7-6IT:B
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AKCBBK7-6:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AKEBBH7-12:B
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AMCBBH7-6:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AMCBBH7-6IT:B
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AMCBBH7-6IT:B TR
Micron Technology Inc.
LFE2-12SE-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP40-6FGG676C
Xilinx Inc.
XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.
XC3S700A-4FGG484I
Xilinx Inc.
M1AFS600-2FGG484I
Microsemi Corporation
A42MX09-VQ100M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40C2
Intel
5SGSMD4E2H29C2L
Intel
LFE2-35E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-1FG484C
Lattice Semiconductor Corporation