casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F2T08CVCBBG6-6R:B TR
Número de pieza del fabricante | MT29F2T08CVCBBG6-6R:B TR |
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Número de parte futuro | FT-MT29F2T08CVCBBG6-6R:B TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F2T08CVCBBG6-6R:B TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 2Tb (256G x 8) |
Frecuencia de reloj | 167MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2T08CVCBBG6-6R:B TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F2T08CVCBBG6-6R:B TR-FT |
MT29F256G08CKEDBJ5-12:D
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CKEDBJ5-12:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CKEDBJ5-12IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMAAAC5:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMAAAC5:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMCABH2-12ITZ:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMCABH2-12ITZ:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMCABH2-12Z:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMCABH2-12Z:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A
Micron Technology Inc.
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel