casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F256G08CMCDBJ5-6R:D TR
Número de pieza del fabricante | MT29F256G08CMCDBJ5-6R:D TR |
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Número de parte futuro | FT-MT29F256G08CMCDBJ5-6R:D TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F256G08CMCDBJ5-6R:D TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 256Gb (32G x 8) |
Frecuencia de reloj | 167MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F256G08CMCDBJ5-6R:D TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F256G08CMCDBJ5-6R:D TR-FT |
MT29F1T08EMHAFJ4-3RES:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T208ECCBBJ4-37:B
Micron Technology Inc.
MT29F1T208ECCBBJ4-37:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T208ECCBBJ4-37ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T208ECHBBJ4-3R:B
Micron Technology Inc.
MT29F1T208ECHBBJ4-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T208EGCBBG1-37ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T208EGHBBG1-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T208EGHBBG1-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AKCBBH7-6:B TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel