casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F1T208EGCBBG1-37ES:B TR
Número de pieza del fabricante | MT29F1T208EGCBBG1-37ES:B TR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT29F1T208EGCBBG1-37ES:B TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F1T208EGCBBG1-37ES:B TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 1.125Tb (144G x 8) |
Frecuencia de reloj | 267MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1T208EGCBBG1-37ES:B TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F1T208EGCBBG1-37ES:B TR-FT |
MT29F1G01ABAFD12-AATES:F
Micron Technology Inc.
MT29F1G01ABAFDM78A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F1G01ABAFDSF-IT:F
Micron Technology Inc.
MT29F1G01ABAFDSF-IT:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G01ABBFDM78A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F1G01ABBFDSF-IT:F
Micron Technology Inc.
MT29F1G01ABBFDSF-IT:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABADAH4-E:D
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABADAH4-ITE:D
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABADAH4-ITE:D TR
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel