casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F256G08CMCBBH2-10:B
Número de pieza del fabricante | MT29F256G08CMCBBH2-10:B |
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Número de parte futuro | FT-MT29F256G08CMCBBH2-10:B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F256G08CMCBBH2-10:B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 256Gb (32G x 8) |
Frecuencia de reloj | 100MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 100-TBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 100-TBGA (12x18) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F256G08CMCBBH2-10:B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F256G08CMCBBH2-10:B-FT |
MT29F1T08CUECBH8-12:C
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CUECBH8-12:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A
Micron Technology Inc.
MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08EMHAFJ4-3RES:A
Micron Technology Inc.
MT29F1T08EMHAFJ4-3RES:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T208ECCBBJ4-37:B
Micron Technology Inc.
MT29F1T208ECCBBJ4-37:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T208ECCBBJ4-37ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T208ECHBBJ4-3R:B
Micron Technology Inc.
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel