casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A
Número de pieza del fabricante | MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A |
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Número de parte futuro | FT-MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 1Tb (128G x 8) |
Frecuencia de reloj | 333MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A-FT |
MT29F16G16ADACAH4-IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F16G16ADACAH4:C
Micron Technology Inc.
MT29F16G16ADACAH4:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F16G16ADBCAH4-IT:C
Micron Technology Inc.
MT29F16G16ADBCAH4-IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F16G16ADBCAH4:C
Micron Technology Inc.
MT29F16G16ADBCAH4:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G01AAADDH4-IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G01AAADDH4:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G01ABAFD12-AATES:F
Micron Technology Inc.
XC2VP4-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC3S200-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F35I3N
Intel
5SGXEA7K2F35C2
Intel
EPF10K100EBC356-2
Intel
EPF10K100EQC240-1N
Intel