casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F1G16ABBEAHC-AIT:E TR
Número de pieza del fabricante | MT29F1G16ABBEAHC-AIT:E TR |
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Número de parte futuro | FT-MT29F1G16ABBEAHC-AIT:E TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F1G16ABBEAHC-AIT:E TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 1Gb (64M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1G16ABBEAHC-AIT:E TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F1G16ABBEAHC-AIT:E TR-FT |
MT29F128G08CEHGBJ4-3RES:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CFAAAWP-IT:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CFAAAWP:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CFAABWP-12:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CFABAWP-IT:B
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CFABAWP-IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CFABAWP:B
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CFABAWP:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CFCGBWP-10M:G
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBCBBJ4-6:B
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel