casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F128G08CEHGBJ4-3RES:G TR
Número de pieza del fabricante | MT29F128G08CEHGBJ4-3RES:G TR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT29F128G08CEHGBJ4-3RES:G TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F128G08CEHGBJ4-3RES:G TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 128Gb (16G x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F128G08CEHGBJ4-3RES:G TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F128G08CEHGBJ4-3RES:G TR-FT |
MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A TR
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CUCDBJ6-6:D
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CUCDBJ6-6:D TR
Micron Technology Inc.
MT29E64G08CBCDBJ4-6:D
Micron Technology Inc.
MT29E6T08ETHBBM5-3ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E768G08EEHBBJ4-3ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08AECBBH6-6:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08AECBBH6-6IT:B
Micron Technology Inc.
MT29F128G08AECBBH6-6IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08AEEBBH6-12:B
Micron Technology Inc.
XC3S1000-4FGG320I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FG484I
Microsemi Corporation
M2GL050TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F40C4N
Intel
EP2AGZ350FH29I4N
Intel
5SGSED6N1F45I2N
Intel
XC5VFX130T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
EPF10K70RC240-3N
Intel
5AGZME1H3F35C4N
Intel