casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F128G08CEHGBJ4-3RES:G TR
Número de pieza del fabricante | MT29F128G08CEHGBJ4-3RES:G TR |
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Número de parte futuro | FT-MT29F128G08CEHGBJ4-3RES:G TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F128G08CEHGBJ4-3RES:G TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 128Gb (16G x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F128G08CEHGBJ4-3RES:G TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F128G08CEHGBJ4-3RES:G TR-FT |
MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A TR
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CUCDBJ6-6:D
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CUCDBJ6-6:D TR
Micron Technology Inc.
MT29E64G08CBCDBJ4-6:D
Micron Technology Inc.
MT29E6T08ETHBBM5-3ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E768G08EEHBBJ4-3ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08AECBBH6-6:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08AECBBH6-6IT:B
Micron Technology Inc.
MT29F128G08AECBBH6-6IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08AEEBBH6-12:B
Micron Technology Inc.
M2GL025-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P600-PQG208
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF43C3
Intel
XC7S15-1CPGA196C
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQ176I
Microsemi Corporation
A54SX08A-FGG144
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
LFXP15C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel