casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F1G08ABAEAH4:E
Número de pieza del fabricante | MT29F1G08ABAEAH4:E |
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Número de parte futuro | FT-MT29F1G08ABAEAH4:E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F1G08ABAEAH4:E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 63-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 63-VFBGA (9x11) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1G08ABAEAH4:E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F1G08ABAEAH4:E-FT |
MT29F128G08CBEABH6-12:A
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CBEABH6-12:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CBEABH6-12IT:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CBEABH6-12M:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CBEABL85A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CBEBBL85C3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CBEBBL85C3WC1-M
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CBECBH6-12:C
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CBECBH6-12:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CBECBL95B3WC1-R
Micron Technology Inc.
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel