casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F128G08CBECBL95B3WC1-R
Número de pieza del fabricante | MT29F128G08CBECBL95B3WC1-R |
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Número de parte futuro | FT-MT29F128G08CBECBL95B3WC1-R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F128G08CBECBL95B3WC1-R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 128Gb (16G x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F128G08CBECBL95B3WC1-R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F128G08CBECBL95B3WC1-R-FT |
MT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E3T08EQHBBG2-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B
Micron Technology Inc.
MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E4T08CTHBBM5-3ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E4T08EYHBBG9-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CKCBBH7-6:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CKCCBH7-6:C
Micron Technology Inc.
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel