casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F1G01ABAFD12-IT:F TR
Número de pieza del fabricante | MT29F1G01ABAFD12-IT:F TR |
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Número de parte futuro | FT-MT29F1G01ABAFD12-IT:F TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F1G01ABAFD12-IT:F TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 1Gb (1G x 1) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1G01ABAFD12-IT:F TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F1G01ABAFD12-IT:F TR-FT |
CAT25AM02C8ATR
ON Semiconductor
DS28EL15GA+T
Maxim Integrated
ECB440ABBCN-Y3
Micron Technology Inc.
EDB2432B4MA-1DIT-F-D
Micron Technology Inc.
EDB4432BBBJ-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDB4432BBBJ-1D-F-R
Micron Technology Inc.
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D
Micron Technology Inc.
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D
Micron Technology Inc.
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR
Micron Technology Inc.
XC3S50A-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG484I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
5AGZME5K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E5G
Intel
AX500-FGG676M
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG144I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation